STB80NF55-08AG

功能描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK

制造商:stmicroelectronics

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):112nC @ 10V

Vgs(最大值):-

FET 功能:-

功率耗散(最大值):300W(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):-

工作温度:-

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:1

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